Tutup iklan

20nm-4Gb-DDR3-03Samsung Electronics telah mengumumkan bahawa ia baru sahaja memulakan pengeluaran besar-besaran modul RAM 6Gb LPDDR3 baharu untuk peranti mudah alih. Syarikat itu akan menghasilkan kenangan operasi baharu dengan bantuan proses pengeluaran 20-nm, yang akan dicerminkan dalam penggunaan tenaga yang lebih rendah sebanyak 10% dan peningkatan prestasi sehingga 30%. Setiap pin modul memori ini mempunyai kelajuan pemindahan 2,133 Mb/s.

Cip juga lebih kecil sebanyak 20% berbanding modul sebelumnya, jika kita mengambil kira satu set empat modul memori bersebelahan antara satu sama lain. Satu set empat modul memori dengan itu mampu menyediakan telefon dengan 3 GB RAM, kerana setiap modul memori menyediakan memori sebanyak 768 MB. Di sini dapat dilihat bahawa Samsung mungkin mempunyai masa yang lebih lama untuk bangun dengan had mewah 3 GB RAM, dan sehingga suatu ketika pada penghujung tahun depan kami akan dapat mula membayangkan hakikat bahawa telefon bimbit kami telefon mempunyai jumlah memori operasi yang sama yang terdapat dalam komputer kita.

// 20nm-4Gb-DDR3-01

//

*Sumber: Sammyhub

Paling banyak dibaca hari ini

.