Samsung mendominasi pasaran memori semikonduktor, dengan syarikat Korea Selatan itu ingin mengukuhkan kedudukannya dengan melabur dalam barisan pengeluaran tambahan. Pada Mac tahun lepas, Samsung mengumumkan bahawa ia telah memperuntukkan $8,7 bilion untuk membina barisan pengeluaran bagi memori kilat NAND di Hwaseong, Korea Selatan dan Xian, China.
Lebih banyak terapung ke permukaan informace, yang kali ini mendakwa bahawa Samsung merancang untuk mengembangkan produk barisan di Xian, China, kerana ia mahu menampung permintaan yang semakin meningkat untuk kenangan kilat.
Permintaan yang semakin meningkat untuk semikonduktor telah menyebabkan Samsung mengembangkan kemudahan pembuatan untuk mengekalkan kedudukan dominannya dalam pasaran. Sudah bulan lepas, syarikat itu memutuskan untuk melabur dalam barisan pengeluaran untuk pengeluaran cip memori di Pyeongtaek, Korea Selatan. Barisan pengeluaran pertama di kilang Pyeongtaek menyaksikan cahaya mata kira-kira dua tahun lalu. Pengeluaran cip memori V-NAND generasi keempat bermula di sini pada Julai 2017.
Samsung dijangka mula mengembangkan kilang pembuatannya di Xian bulan ini. Samsung memutuskan untuk mengeluarkan 7 bilion dolar untuk tujuan ini, yang sepatutnya dilaburkan secara beransur-ansur dalam kilang itu dalam tempoh tiga tahun akan datang.
Sumber: SamMobile
