Minggu lepas kami awak mereka memaklumkan, bahawa Samsung terus bergantung pada siri Edisi Peminat dan model seterusnya, nampaknya dengan label Galaxy S23 FE, menurut maklumat tidak rasmi, akan dilancarkan pada separuh kedua tahun ini. Sekarang ia telah menembusi eter informace tentang chipset yang akan menjanakannya.
Menurut seorang pengguna yang menggunakan nama itu di Twitter Connor akan jadi Galaxy S23 FE untuk menggunakan cipset Snapdragon 8+ Gen 1 Cip ini telah diperkenalkan pada Mei lalu dan dibandingkan dengan Snapdragon 8 Gen 1 yang digunakan oleh rangkaian di beberapa pasaran Galaxy S22, menawarkan kecekapan tenaga yang jauh lebih baik.
Fotogalerie
Snapdragon 8+ Gen 1 dihasilkan menggunakan proses 4nm TSMC. Ini adalah teknologi yang sama digunakan untuk membuat cipset perdana semasa Qualcomm Snapdragon 8 Gen2. Perpindahan daripada Samsung ke TSMC membantu Qualcomm membawa peningkatan dalam kedua-dua kecekapan kuasa dan prestasi kepada cipnya. Jika Samsung benar-benar mempunyai rancangan Galaxy S23 FE untuk memperkenalkan, Snadpragon 8+ Gen 1 boleh menjadi cip yang sesuai untuknya.
Anda mungkin berminat
Tiada apa-apa lagi yang diketahui tentang telefon FE seterusnya pada masa ini. Berkenaan dengan model yang dibentangkan setakat ini (iaitu Galaxy S20 FE, S20 FE 5G dan S21 FE), walau bagaimanapun, kami boleh menjangkakan paparan AMOLED dengan pepenjuru sekitar 6,5 inci dan sokongan untuk kadar penyegaran 120Hz, kamera tiga kali ganda, sekurang-kurangnya bateri 4500mAh dengan pengecasan pantas 25W, bawah -paparkan pembaca cap jari, pembesar suara stereo atau tahap perlindungan IP68 .
