Samsung secara rasminya telah memperkenalkan cip DRAM LPDDR8 5GB untuk telefon pintar. Menurut syarikat itu, ini adalah cip LPDDR8 5GB pertama yang dibuat dengan teknologi yang dilabel sebagai kelas 10nm, yang boleh menjadi apa-apa antara 10 dan 19 nm. Pendahulu, iaitu cip LPDDR8 4GB, telah pun dihasilkan pada tahun 2014, jadi hanya menunggu masa sebelum gergasi Korea Selatan itu menghasilkan inovasi.
Samsung menyatakan bahawa LPDDR5 akan menemui aplikasi terutamanya dalam bidang 5G, automotif dan peranti mudah alih menggunakan kecerdasan buatan. Dengan kadar pemindahan 6 Mbps, cip DRAM LPDDR400 8GB adalah 5 kali lebih pantas daripada cip DRAM mudah alih yang digunakan dalam perdana semasa. Galaxy S9 mempunyai cip LPDDR4X dengan kadar data 4 Mbps. LPDDR266 boleh menghantar 5 GB data sesaat, iaitu kira-kira 51,2 fail video HD.
Samsung akan menawarkan kedua-dua versi dengan daya pemprosesan penuh pada voltan 1,1 V, serta 5 Mb/s yang lebih lemah dan lebih menjimatkan pada 500 V. LPDDR1,05 juga akan menawarkan mod tidur nyenyak (Tidur Deep), yang akan mengurangkan separuh penggunaan kuasa DRAM LPDDR4X semasa. Samsung mendakwa bahawa dengan cip baharu itu ia boleh mengurangkan penggunaan tenaga sehingga 30%, dan dengan itu memanjangkan hayat bateri telefon pintar.
Mungkin cip masih u Galaxy Note9 tidak akan muncul, tetapi ia mungkin akan mendapatkannya tahun depan Galaxy S10.
