Samsung memulakan pengeluaran besar-besaran pemproses menggunakan proses FinFET 14-nm hanya baru-baru ini, tetapi ia sudah bersedia untuk masa depan dan mula bereksperimen dengan teknologi 10-nm, dan seperti yang dikatakan, walaupun teknologi 5-nm bukanlah masalah utama untuk ia. Syarikat itu mendedahkan fakta menarik ini pada persidangan ISSCC 2015, di mana ia membentangkan prototaip pemproses yang dibuat menggunakan teknologi 10-nm, yang akan digunakan pada tahun-tahun akan datang. Pada masa yang sama, Kinam Kim mengesahkan bahawa Samsung akan mengeluarkan pemproses pada masa hadapan menggunakan proses yang sudah berada di ambang Undang-undang Moore.
Tetapi nampaknya tiada apa yang menghalang Samsung daripada melampaui had yang ditetapkan oleh Gordon Moore dan membuat cip yang lebih kecil dan lebih menjimatkan. Syarikat itu telah membayangkan bahawa ia mungkin mula mengeluarkan pemproses menggunakan proses pembuatan 3,25-nm pada masa hadapan. Tetapi persoalannya kekal bahan apa yang akan digunakan, kerana Intel telah mengumumkan bahawa ia tidak lagi boleh menggunakan silikon di bawah had 7-nm. Itulah sebabnya dia merancang untuk menghasilkan cip dengan bantuan Indium-Gallium-Arsenide, lebih dikenali dengan singkatan InGaAs. Walau bagaimanapun, ia masih boleh menggunakan silikon dalam proses FinFET 14-nm semasa. Yang terakhir digunakan dalam satu tangan dalam pengeluaran cip pra Galaxy S6 dan juga akan menggunakannya untuk menghasilkan cip pra iPhone 6s dan Qualcomm. Dia merancang untuk menggunakan pemproses yang dibuat menggunakan proses 10-nm dalam produk IoT, disebabkan penggunaan cip yang lebih rendah. Walau bagaimanapun, peranti ini akan muncul pada awal 2016 dan 2017.
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47926", zoneId: 47926, w: 600, h: 190 };
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47925", zoneId: 47925, w: 600, h: 190 };
*Sumber: Nikkeibp.co.jp; ZDNet
