Hari ini, Samsung sedang bersedia untuk memulakan pengeluaran memori UFS 2.0 NAND Flash ultra-pantas yang ia merancang untuk digunakan dalam perdana masa depannya, Samsung Galaxy S6. Sehingga kini, teknologi memori Flash NAND eMMC telah digunakan, yang mampu mencapai kelajuan pemindahan 400 MB/s. Walau bagaimanapun, terima kasih kepada teknologi UFS generasi kedua yang baharu, memori akan berada dalam telefon Galaxy S6 mampu mencapai kelajuan pemindahan sehingga 1.2 GB/s, iaitu kelajuan tiga kali lebih tinggi.
Ini sudah tentu akan dicerminkan dalam pemindahan fail besar, seperti pemindahan video 4K menggunakan sambungan LTE-A. Di samping itu, berbanding dengan eMMC 5.0, teknologi ini menawarkan penggunaan sehingga 50% lebih rendah, yang memberi kesan positif pada hayat bateri telefon baharu. Samsung juga merancang untuk menggunakan teknologi itu dalam kad SD dan microSDnya, dan nampaknya sudah bekerja keras padanya. Saingan utama Samsung dari China, Xiaomi, juga merancang untuk menggunakan memori Flash UFS, dan nampaknya Toshima, Hynix dan Micron juga akan menunjukkan minat terhadapnya. Selain itu, berkat teknologi UFS, Samsung akan terpaksa menggunakan port microUSB 3.0 jika ingin menggunakan kelajuan pemindahan semasa memindahkan fail dari komputer ke telefon bimbit dan sebaliknya.
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47926", zoneId: 47926, w: 600, h: 190 };
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47925", zoneId: 47925, w: 600, h: 190 };
*Sumber: ETNews
