Samsung Electronics mengumumkan bahawa ia telah memulakan pengeluaran besar-besaran modul memori DDR4 yang paling maju dengan saiz 8 Gb, dan bersama-sama dengan mereka ia telah memulakan pengeluaran modul RAM 32 GB DDR4 pertama yang ditujukan untuk pelayan korporat. RAM baharu ini dihasilkan menggunakan proses pembuatan 20-nm baharu, iaitu proses yang sama digunakan untuk mengeluarkan walaupun pemproses mudah alih yang paling canggih hari ini. Samsung mendakwa bahawa modul memori ini memenuhi semua keperluan prestasi tinggi, ketumpatan tinggi dan penjimatan tenaga dalam pelayan korporat generasi akan datang.
Selain itu, dengan modul 8Gb DDR4 baharu, Samsung memuktamadkan keseluruhan barisan modul DRAM yang dihasilkan menggunakan proses pembuatan 20-nm. Hari ini, siri ini termasuk 6Gb LPDDR3 untuk peranti mudah alih dan modul 4Gb DDR3 untuk PC. Kemudian, seperti yang dinyatakan di atas, Samsung mula menghasilkan modul memori RDIMM 32GB yang menawarkan kadar pemindahan 2 Mbps setiap pin, yang mewakili peningkatan 400% peratus dalam prestasi jika dibandingkan dengan kadar pemindahan 29 Mbps memori DDR1 pelayan. Tetapi keupayaan teknologi ini tidak berhenti pada 866 GB, dan Samsung menyatakan bahawa menggunakan teknologi 3D TSV, adalah mungkin untuk membangunkan modul memori sehingga 32 GB. Kelebihan modul baru juga adalah penggunaan yang lebih rendah yang disebutkan, kerana cip DDR3 ini memerlukan 128 volt, yang kini merupakan voltan paling rendah yang mungkin.
//
//
*Sumber: Samsung
