Samsung hari ini memulakan pengeluaran besar-besaran modul DDR3 DRAM baharunya menggunakan proses pembuatan 20 nanometer. Modul baharu ini mempunyai kapasiti 4Gb, iaitu 512MB. Walau bagaimanapun, memori yang tersedia bagi modul individu bukanlah ciri utamanya. Kemajuan ini terletak tepat pada penggunaan proses pengeluaran baharu, yang menghasilkan penggunaan tenaga sehingga 25% lebih rendah berbanding proses 25 nanometer yang lebih lama.
Pergerakan kepada teknologi 20-nm juga merupakan langkah terakhir yang memisahkan syarikat daripada memulakan pengeluaran modul memori menggunakan proses 10-nm. Teknologi yang digunakan pada masa ini untuk modul baru juga adalah yang paling maju di pasaran dan boleh digunakan bukan sahaja dengan komputer, tetapi juga dengan peranti mudah alih. Untuk komputer, ini bermakna Samsung kini boleh mencipta cip dengan saiz yang sama, tetapi dengan memori operasi yang jauh lebih besar. Samsung juga terpaksa mengubah suai teknologi sedia ada untuk dapat menjadikan cip lebih kecil sambil mengekalkan kaedah pembuatan semasa.
- Anda mungkin berminat dengan: Samsung telah membangunkan memori DRAM mudah alih 8Gb LPDDR4 yang pertama
