Prague, 7 Januari 2014 – Samsung, peneraju dunia dalam teknologi memori dan pembuatan, telah memperkenalkan yang pertama 8Gb memori mudah alih DRAM s penggunaan tenaga yang rendah LPDDR4 (kadar data berganda kuasa rendah 4).
"DRAM LPDDR4 generasi baharu ini akan menyumbang dengan ketara kepada pertumbuhan pasaran DRAM mudah alih global yang lebih pantas, yang tidak lama lagi akan menyumbang bahagian terbesar bagi keseluruhan pasaran DRAM,” kata Young-Hyun May, Naib Presiden Eksekutif Perniagaan dan Pemasaran Bahagian Memori Samsung Electronics. "Kami akan berusaha untuk sentiasa selangkah di hadapan pengeluar lain dan terus memperkenalkan DRAM mudah alih yang paling canggih supaya pengeluar global boleh melancarkan peranti mudah alih baharu dalam tempoh masa yang sesingkat mungkin.,” tambah Young-Hyun May.
Dengan cirinya seperti ketumpatan memori yang lebih tinggi, prestasi tinggi dan kecekapan tenaga, memori mudah alih Samsung DRAM LPDDR4 akan membolehkan pengguna akhir menggunakan maju aplikasi lebih cepat dan lancar dan juga menikmati resolusi yang lebih tinggi paparan dengan penggunaan bateri yang kurang.
Kenangan mudah alih Samsung DRAM LPDDR4 baharu dengan kapasiti 8Gb sedang dihasilkan teknologi pengeluaran 20nm dan menawarkan kapasiti 1 GB pada satu cip, yang pada masa ini merupakan ketumpatan tertinggi bagi memori DRAM. Dengan empat cip, setiap satu dengan kapasiti 8 Gb, satu kes akan menyediakan 4 GB LPDDR4, tahap prestasi tertinggi yang tersedia.
Selain itu, LPDDR4 menggunakan voltan rendah Logik Ditamatkan Ayunan Voltan Rendah (LVSTL) Antara muka I/O, yang Samsung asalnya direka untuk JEDEC. Cip baharu mencapai kelajuan pemindahan sehingga 3 Mbps, iaitu dua kali ganda kelajuan DRAM LPDDR3 yang dihasilkan pada masa ini. Namun, pada masa yang sama menggunakan lebih kurang 40% kurang tenaga pada voltan 1,1 V.
Dengan cip baharu itu, Samsung merancang untuk memberi tumpuan bukan sahaja kepada pasaran mudah alih premium, termasuk telefon pintar UHD dengan paparan yang besar, tetapi juga pada tablet a buku nota ultra nipis, yang menawarkan paparan empat kali lebih tinggi daripada resolusi Full-HD, dan juga pada tinggi sistem rangkaian yang berkuasa.
Samsung ialah pembangun terkemuka bagi teknologi DRAM mudah alih dan merupakan peneraju bahagian pasaran dalam DRAM mudah alih dengan 4Gb dan 6Gb LPDDR3. Syarikat itu mula menawarkan 3GB LPDDR3 (6Gb) paling nipis dan terkecil pada bulan November dan memperkenalkan DRAM LPDDR8 4Gb baharu pada 2014. Cip DRAM mudah alih 8Gb akan berkembang dengan cepat dalam pasaran peranti mudah alih generasi akan datang menggunakan cip DRAM berkapasiti tinggi.
